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CMOS集成电路的性能及特点的详细资料说明

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上传日期: 2020-06-03

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资料介绍

标签:VDD(50)CMOS(3197)集成电路(4382)

  功耗低

  CMOS采用,且都是互补结构,工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通,另一个管截止的状态,静态功耗理论上为零。实际上,由于存在漏电流hg0088手机版官网,CMOS电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值仅为20mW,动态功耗(在1MHz工作频率时)也仅为几mW。

  工作电压范围宽

hg0088手机版官网   CMOS集成电路供电简单,供电电源体积小,基本上不需稳压。国产CC4000系列的集成电路,可在3~18V电压下正常工作。

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  逻辑摆幅大

  CMOS集成电路的逻辑高电平“1”、逻辑低电平“0”分别接近于电源高电位VDD及电影低电位VSS。当VDD=15V,VSS=0V时,输出逻辑摆幅近似15V。因此,CMOS集成电路的电压电压利用系数在各类集成电路中指标是较高的。

hg0088手机版官网   抗干扰能力强

  CMOS集成电路的电压噪声容限的典型值为电源电压的45%,保证值为电源电压的30%。随着电源电压的增加,噪声容限电压的绝对值将成比例增加。对于VDD=15V的供电电压(当VSS=0V时),电路将有7V左右的噪声容限。

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